GE V7768-312000

接口:PCI Express 3.0 x16。

内存容量:8GB GDDR6。

核心时钟:1605 MHz,升压时钟:1905 MHz。

输入电压范围:12-48VDC。

输出电压范围:5VDC。

输出电流:最大10A。

效率:大于90%。

尺寸:170mm x 105mm x 32mm。

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Description

GE V7768-312000

GE V7768-312000产品说明:

GE V7768-312000是一款高性能的显卡,专为专业应用而设计,提供先进的图形处理能力,并支持广泛的特性和功能。

它也是一款高性能的励磁控制器,属于GE的Mark VIe系列,采用模块化设计,可满足各种工业应用需求。

产品参数:

接口:PCI Express 3.0 x16。

内存容量:8GB GDDR6。

核心时钟:1605 MHz,升压时钟:1905 MHz。

输入电压范围:12-48VDC。

输出电压范围:5VDC。

输出电流:最大10A。

效率:大于90%。

尺寸:170mm x 105mm x 32mm。

GE V7768-312000

GE V7768-312000

产品规格:

工作温度范围:-40℃~85℃。

功耗:50W。

系列:

属于Mark VIe系列励磁控制器。

属于GE Fanuc VME系列板卡。

特征:

高性能:采用先进的控制技术,提供高精度、高可靠性的励磁控制。

高可靠性:采用冗余设计,提高系统的可靠性。

可扩展性:支持多种模块扩展,满足不同应用需求。

高性能计算:采用Intel 945GM芯片组,提供优化的集成图形解决方案。

GE V7768-312000

GE V7768-312000

GE V7768-312000

作用和用途:

提供高性能计算和实时处理能力,适用于工业自动化、数据采集、仪器仪表等应用场景。

作为励磁控制器,用于工业控制系统中,提供高精度和高可靠性的励磁控制。

应用领域:

工业控制:可用于为各种工业机械设备的伺服电机提供电源,如生产线、机器人、输送带、风机、水泵等。

楼宇控制:可用于楼宇自动化系统中。

数据采集和仪器仪表:适用于需要高性能计算和实时处理的应用场景。